三星存儲芯片項目落戶陜西
瑞豐德永 http://www.whkedi.cn 西安4月12日電 韓國三星電子一期投資70億美元的存儲芯片項目10日正式落戶陜西省西安市高新區。作為韓國三星電子海外投資歷史上投資規模最大的項目和第二次在海外建立的半導體生產工廠，此次在西安投資的存儲芯片項目將采用世界最領先的技術，進行10納米級的NAND Flash（閃存）量產。預計一期投資70億美元，2013年底投產后，每月可生產10萬片。據介紹，隨著三星項目的落戶，將有160余家配套企業相繼落戶西安市高新區，將直接或間接增加萬余就業崗位。
